Kioxia推出了比现有闪存更快更便宜的闪存

导读 Kioxia和Western Digital今天宣布开发第六代162层3D NAND闪存技术。它的创建被称为 20年合作伙伴关系中的另一个里程碑。第6代闪存具有先

Kioxia和Western Digital今天宣布开发第六代162层3D NAND闪存技术。它的创建被称为“ 20年合作伙伴关系中的另一个里程碑”。

第6代闪存具有先进的体系结构,其水平单元密度比第5代技术高10​​%。与垂直方向上的162个水平相结合,与112层存储器相比,这使得相同信息容量的管芯面积减少了40%,从而实现了“成本优化”。

开发人员还将逻辑电路放置在单元阵列下方,并同时处理四个区域,与前一个相比,它们共同使写入性能提高了近2.4倍,读取延迟减少了10%。一代。I / O性能提高了66%。

总体而言,新的闪存技术可降低每位成本,并将每片晶圆的存储容量比上一代产品提高70%。

当开始批量生产新存储器时,伙伴不指定。

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